TSM220NB06LCR RLG
Hersteller Produktnummer:

TSM220NB06LCR RLG

Product Overview

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Teilenummer:

TSM220NB06LCR RLG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)

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TSM220NB06LCR RLG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1314 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5.2x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerLDFN
Basis-Produktnummer
TSM220

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM220NB06LCRRLGDKR
TSM220NB06LCRRLGTR
TSM220NB06LCRRLGCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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